紫光240亿美元 成都建3D NAND Flash厂

紫光240亿美元 成都建3D NAND Flash厂

6月26，根据紫光官方消息，紫光集团联席总裁王慧轩在接受采访时表示，紫光在四川布局宏大，总投资将超过2000亿元，主要包括服务器芯片、安全芯片、存储芯片和移动通讯相关芯片的研发，建设周期将长达3-5年。

目前正在建设的存储3D NAND Flash厂，一期建设完毕后会有一个月10万片产能，三期全部完工后每月产能30万片。

紫光成都存储芯片项目于2018年10月中旬动工，预计2020年12月主体完工，该项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。

与此同时，紫光集团旗下的长江存储将在今年下半年正式推出自研的Xtacking 2.0技术，并在年底前量产64层3D NAND，规划在2020年跳过96层3D NAND技术进入128层3D NAND阶段，进一步缩小和世界存储大厂的差距。

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