智能制造全生命周期生态服务平台

首页> 全部> 资讯详情

UnitedSiC扩展SiC JFET产品组合并发布第三代1200V和650V器件

来源 : 华强资讯 2018-10-24 13:46    阅读量:9   

碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V碳化硅JFET,扩展了现有的独特常开启型SiC JFET产品组合。

UnitedSiC扩展SiC JFET产品组合并发布第三代1200V和650V器件0

UnitedSiC扩展SiC JFET产品组合并发布第三代1200V和650V器件

这些器件处于通常开启状态,采用零电压栅极驱动,因而特别适用于快速动作、固态断路器和电路保护等应用,这些应用中,通常在没有栅极电源的情况下需要默认为导通状态。这些器件还可与Si-MOSFET串联使用,形成强大的"超级共源共栅",具有宽带隙技术的所有优势,能提供极高的工作电压,并易于栅极驱动。新器件还可用于电子负载、无线充电同步整流和低功率反激式转换器中的电源开关,其中采用共源共栅配置的JFET可确保易于启动。新器件所面向的市场包括铁路、电动飞行器和电动牵引中的电路保护,以及高压开关电源转换等等。

SiC JFET器件能提供极佳的RDSA品质因数(基于晶片面积归一化的导通电阻),在电路保护应用中具有低插入损耗。由于RDSON的正温度系数和较为平坦的栅极阈值电压对温度曲线,这些部件可以很容易并联使用。在以"线性"模式工作时,SiC JFET表现出宽的安全工作区(SOA),而没有其他技术容易受到的电流拥挤效应和潺流效应(current filament)等影响,使得它们特别适用于电子负载和电流限制器。SiC JFET中不存在栅极氧化物,因而也增强了抗辐射能力和总体的牢固性等附加优势。

这些器件的制造采用了UnitedSiC专有的6英寸晶圆工艺,其中包括先进的晶圆减薄(wafer-thinning)和晶片粘接(die-attach)技术,具有出色的结至外壳热阻。

新发布的第三代器件编号为UJ3N120070K3S(1200V/70mΩ)、UJ3N120035K3S(1200V/35mΩ)、UJ3N0650080K3S(650V/80mΩ)和UJ3N065025K3S(650V/25mΩ)。所有这些可选器件均采用方便的TO-247-3L封装。

UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla表示:"当您需要常通、超级牢固的器件时,UnitedSiC的SiC JFET可提供无与伦比的系统价值。随着电力电子技术的不断发展,对电路保护的需求也在不断增长。动作非常快速的断路器可以简化轨道牵引、船舶和越来越多的电动飞行器等电源电路设计,而且在这些类型应用中,SiC JFET也是最简单、最高效的限流方案。"

声明: 本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载内容(文章、图片、视频等资料)的版权归原网站所有。如我们转载或使用了您的文章或图片等资料的,未能及时和您沟通确认的,请第一时间通知我们,以便我们第一时间采取相应措施,避免给双方造成不必要的经济损失或其他侵权责任。如您未通知我们,我们有权利免于承担任何责任。 我们的联系邮箱:news@cecb2b.com。

好文章,需要你的鼓励!
分享到:
参与评论
剩下299
热门搜索
相关问答
中发智造自媒体
微信公众号
头条公众号
微博公众号
最新最热 行业资讯
订阅栏目 效率阅读