纳微在中国开设GaNFast研发中心以支持创新

纳微(Navitas)今天宣布在杭州开设新的GaNFast研发中心，以帮助合作伙伴和客户设计技术领先的电源转换器；相比传统的硅MOS管方案，这些新设计能让体积缩小50%，重量减轻50%，可为移动应用终端提供快3倍的充电速度。

纳微高级应用总监兼新研发中心负责人徐迎春表示：“GaNFast研发中心拥有产品设计经验丰富的高水平应用工程师团队，将专注于开发高频、高效、高功率密度的电源系统，并协助客户充分发挥GaNFast功率IC的关键性能和优势。我们拥有开发新型先进电源架构的工具、技能和资源，同时能够确保开发高效率、优异的热性能和EMI性能等关键技术指标符合客户需求的可量产产品。”

纳微旗下的业界第一款GaNFast功率IC能够同时实现MHz级频率和更高效率的电源设计，这些优异性能意味着移动快速充电器和适配器、LED电视、电动汽车/混合动力汽车、LED照明和新能源解决方案可采用更小、更轻、更低系统成本的功率转换技术。

纳微首席技术官Dan Kinzer指出：“杭州是中国学术和创新的中心之一，与浙江大学电力电子中心和杭州、上海、苏州等周边客户的研究机构有着密切联系，占尽地利人和。纳微的愿景是利用性能出众的氮化镓功率器件创造出高频、高效、高密度的新型电源系统。”

纳微首席执行官Gene Sheridan在研发中心开幕式上致欢迎辞，他补充道：“继创建深圳销售办事处之后，我们又大量投资于新的杭州GaNFast研发中心以促进技术发展，并且为中国客户提供更强大的技术支持。 结合半导体器件、系统级创新以及行业合作伙伴关系，我们可以携手重新塑造价值高达每年2000亿人民币的产业。”

关于纳微

纳微(Navitas)半导体公司是世界上第一家也是唯一的 GaN 功率IC 公司， 于 2014 年在美国加利福尼亚州 El Segundo 成立。纳微拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队，在材料、器件、应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内，合共拥有超过200年的经验；此外，其多位创始人也合共拥有超过200项专利。该公司专有的工艺设计套件将最高性能的 GaN FET 与GaN逻辑和GaN模拟电路单片集成。纳微GaNFast功率IC为移动、消费、企业和新能源市场提供更小、更高能效和更低成本的电源。 纳微拥有或正在申请的专利超过 35 项。

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