长江让存储性能翻倍 三星海力士胆颤了

近日在美国举办的Flash Memory Summit上，长江存储正式公布了在3D NAND构架上的最新技术——Xtacking。它的主要特点是可以把外围电路置于存储单元之上，实现更高的存储密度，从而大幅提升I/O接口的速度。据长江存储表示，采用Xtacking技术的存储芯片，I/O速度有望达到了3Gbps，和DDR4内存相当，而目前日韩厂商同类产品的速度为1Gbps左右。

长江让存储性能翻倍 三星海力士胆颤了

值得一提的是，与此同时，SK海力士在Flash Memory Summit上宣布推出全球首款4D闪存，使用的是512Gb TLC颗粒，采用96层堆叠，最高容量可以达到惊人的64TB。和3D闪存相比，它的优势在于更小的芯片面积和更快的读取速度。不过，它的I/O速度依然只有1.2Gpbs。

需要指出的是，国产存储厂商在核心技术方面和日韩老牌厂商相比依然有比较大的差距。如果国产厂商亦步亦趋地跟随和模仿国外厂商的话，很难缩小差距和实现超越。此次，长江存储推出全新的3D NAND架构Xtacking，就是一次弯道超车的尝试。据称，长江存储已经把这项技术运用到对应的存储产品中，预计明年开始量产，工艺制程为14nm。

当然，现在对国产存储厂商来说，最重要的就是要能实现快速大规模铺货。即使这些产品在技术上落后于国外厂商，但在市场上也能对它们形成约束，如果价格上有优势的话，还是有很多人乐于买单。但如果迟迟未能实现量产、进入市场的话，即使对国产存储产品有热忱和期望，想予以支持的用户，也只能是有心无力。

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